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XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振,富通晶振,XO75LVDS差分晶振,進(jìn)口有源晶振,XO75LVDS-200M000-B50B1晶振,六腳貼片晶振,7050mm晶振,LVDS輸出晶振,石英晶體振蕩器,頻率200MHz,電壓3.3V,頻率穩(wěn)定性50ppm,工作溫度-40~85°C,無內(nèi)部鎖相環(huán)晶振,無鉛環(huán)保晶振,高品質(zhì)晶振,智能設(shè)備晶振,網(wǎng)絡(luò)附屬存儲晶振,固態(tài)硬盤晶振,通用處理器晶振.
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振特點(diǎn):
-符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(無鉛),LVDS兼容信號
-固有低功率和低電磁干擾發(fā)射
-極低相位抖動,無內(nèi)部鎖相環(huán),避免級聯(lián)鎖相環(huán)問題
-免費(fèi)輸出,三狀態(tài)啟用/禁用標(biāo)準(zhǔn),7x5x2 mm SMD封裝
-符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(無鉛),LVDS兼容信號
-固有低功率和低電磁干擾發(fā)射
-極低相位抖動,無內(nèi)部鎖相環(huán),避免級聯(lián)鎖相環(huán)問題
-免費(fèi)輸出,三狀態(tài)啟用/禁用標(biāo)準(zhǔn),7x5x2 mm SMD封裝
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振規(guī)格表
frequency | 200 MHz |
Input Voltage (Vcc)
|
3.3 VDC
|
Input Current
|
50mA Maximum (at 3.3V)
|
Storage Temperature
|
-55°C to 125°C
|
Overall Frequency Stability
|
± 50 ppm
|
OperatingTemperature Range
|
-40°C to 85°C
|
Standard Stability
|
50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
|
Electric Option (Symmetry)
|
Tristate 60/40%
|
Output Load
|
100 Ohms across differential outputs (Offset 1.25V Typ)
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Logic "1" / Logic "0" Level
|
1.43V Typ / 1.10V Typ
|
Rise/Fall Time (Tr/Tf)
|
0.7 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p
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Start-up time
|
5 ms Maximum
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Phase Jitter (RMS, 1 Sigma)
|
1 ps Max for fj > 1KHz; 0.3 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz
|
Tristate Function
|
Input (Pin 1) High (> 0.7Vcc) or open: Output (Pin 4, 5) active
Input (Pin 1) Low (< 0.3Vcc): Output disabled in high impedance
|
Enable/Disable Time
|
2 ms Maximum - Enable; 200 ns Maximum - Disable
|
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振尺寸圖