X3S008000BK1H-U晶振,HSX321S晶振
來源:http://www.sqlianchuang.cn 作者:泰河電子晶振 2019年08月30
X3S008000BK1H-U規(guī)格書,X3S008000BK1H-Updf資料
加高電子(H.ELE.)是晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器頻率組件的專業(yè)制造商,目前所提供的石英晶振(Crystal),石英晶體振蕩器(Oscillator)生產(chǎn)及銷售規(guī)模居全臺領(lǐng)先地位。成立于1976年,藉由與日本DAISHINKU(KDS晶振)株式會社的合作,引進日本精密制程、產(chǎn)品設(shè)計技術(shù)及講究的質(zhì)量管理工法,進而累積扎實的研發(fā)能力。我們擁有廣泛的產(chǎn)品規(guī)格及客制化服務(wù),應(yīng)用范圍涵蓋日常消費產(chǎn)品 (如:網(wǎng)絡(luò)與通訊產(chǎn)品、智能家庭和個人計算機)、高階工業(yè)產(chǎn)品和車用電子。
X3S008000BK1H-U晶振,HSX321S晶振,加高晶振,HELE晶體
Model Name 型號 | HSX321S晶振 |
Original code 原廠代碼 | X3S008000BK1H-U |
Device Name 產(chǎn)品名稱系列 | CRYSTAL(石英晶體) |
Nominal Frequency 標稱頻率 | 8.000000 MHZ |
LOAD CAPACITANCE(CL) 負載電容 | 20.0PF |
DRIVE LEVEL 驅(qū)動電平
|
10 uW |
FREQUENCY TOLERANCE 頻率偏差 | 10ppm |
Operating Temperature Range 工作溫度范圍 | -20~+70℃ |
Storage temperature 儲存溫度 | -40~+85℃ |
SHUNT CAPACITANCE(C0) 并聯(lián)電容 | 2.0pF max |
FREQUENCY CHARACTERISTICS OVER頻率特性 | 10ppm |
INSULATION RESISTANCE 絕緣電阻 | 500 Mohms min.at 100v DC |
OVERTONE ORDER 泛音順序 | 基本 |
SIZE 尺寸 | 3.2*2.5*0.7mm |
X3S008000BK1H-U晶振產(chǎn)品尺寸圖
X3S008000BK1H-U晶振產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
關(guān)于X3S008000BK1H-U晶振產(chǎn)品安裝的注意事項
回流條件
X3S008000BK1H-U規(guī)格書,X3S008000BK1H-Updf資料
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請遵守我們建議的回流條件,并在2次內(nèi)進行焊接。
手動烙鐵(示例)
位溫度:最大350℃,時間:最大3秒。 ,每個終端只應(yīng)焊接一次。
安裝條件
我們的產(chǎn)品適用于大多數(shù)自動化SMT工藝。但是,我們強烈建議所有客戶在批量生產(chǎn)之前進行SMT取樣,以確保生產(chǎn)過程不會影響我們產(chǎn)品的性能和規(guī)格。
不建議使用涉及使用超聲波工藝的密封焊接和安裝程序,這將影響和/或損壞我們產(chǎn)品的內(nèi)部特性。
安裝過程中的過度沖擊也會影響產(chǎn)品,我們強烈建議設(shè)置SMT條件以盡量減少這些條件。
如果存在PCB翹曲的可能性,我們強烈建議確保翹曲程度不會影響產(chǎn)品。
還請確保操作特性和/或焊接條件均符合我們產(chǎn)品的使用規(guī)范。
最終,上述所有情況的最壞情況將導(dǎo)致非振蕩的情況,但如果我們的產(chǎn)品以不適當?shù)姆绞绞褂?,也可能產(chǎn)生其他負面影響。
請注意,此類濫用情況及其相關(guān)質(zhì)量問題不包含在我們的產(chǎn)品保修范圍內(nèi)。
清潔條件
一般清潔解決方案可用于清潔我們的產(chǎn)品,但我們始終建議在批量生產(chǎn)過程之前進行測試。 不建議使用超聲波清潔程序,我們強烈建議首先評估其他形式的清潔。X3S008000BK1H-U規(guī)格書,X3S008000BK1H-Updf資料
不合適的清潔可能會導(dǎo)致許多負面影響,例如產(chǎn)品表面損壞,產(chǎn)品變色,包裝腐蝕,包裝污染,標記不清晰等。請注意未包含未經(jīng)處理的處理及其相關(guān)質(zhì)量問題的案例不包括在內(nèi) 在我們的產(chǎn)品保修。
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