世界最小級5G基站恒溫振蕩器的開發(fā)?日本電波哪里來的底氣?
來源:http://www.sqlianchuang.cn 作者:泰河盛電子 2020年11月02
世界最小級5G基站恒溫振蕩器的開發(fā)?日本電波哪里來的底氣?
日本電波株式會社即是我們常說的NDK晶振;眾所周知,該公司在車載產(chǎn)品方面可以說是位居世界車載元件領(lǐng)域的首位的;但是從今年開始,該公司似乎開始大舉進軍5G行業(yè),從年初至今推出的新品和產(chǎn)品性能優(yōu)化的產(chǎn)品大部分都是可應(yīng)用于5G通信或是5G基站的;這不前幾日又推出了世界最小級5G基站恒溫振蕩器的開發(fā)技術(shù). 為了在5G和本地5G的普及下實現(xiàn)高速,大容量通信和超低延遲通信,系統(tǒng)通過安裝大量小型基站來覆蓋該區(qū)域.這些小型基站將安裝在室外鋼管,屋頂,墻壁和其他狹窄空間的頂部,并且安裝場所的環(huán)境將暴露在直射的陽光,風和雨中,使其比以前更加嚴格.
由于小型基站設(shè)備的內(nèi)部組件受高密度安裝和高溫高濕的外部環(huán)境變化所導(dǎo)致的內(nèi)部溫度升高的影響,因此,緊湊的高穩(wěn)定性晶體振蕩器在高溫下具有穩(wěn)定的工作狀態(tài),具有良好的溫度斜率特性且具有良好的相位噪聲特性.
為了滿足這些需求,我們通過開發(fā)專用的ASIC實現(xiàn)了小型化,該ASIC在單個芯片上包含所有振蕩器電路,溫度控制電路和OCXO的其他組件.
此外,通過利用從石英晶體生長到晶體振蕩器制造的集成制造優(yōu)勢,我們開發(fā)了使用高Q晶體石英的小型SC切割振蕩器,以實現(xiàn)高穩(wěn)定性和低噪聲5G系統(tǒng)所需.此外,與傳統(tǒng)的高精度TCXO相比,溫度斜率特性的值達到±0.1x10-9/°C,為1/200.另外,不引入濕氣和灰塵的氣密包裝的適應(yīng)性提高了可靠性.
這款OCXO有源晶振的參數(shù)規(guī)格如下表所示:
單單從尺寸上來看,確實可以稱得上是世界最小級,因為一般的恒溫晶振都是尺寸比較大的,長款均在十毫米以上,所以它多用在一些對尺寸要求不高,并且工作環(huán)境比較復(fù)雜的工業(yè)級產(chǎn)品之上,通信基站就是其中之一;而這款采用NDK最新制造技術(shù)生產(chǎn)的OCXO有源晶振的體積僅僅只有7.0*5.0mm.
當然,值得稱贊的不僅僅是其外觀封裝尺寸,還有它的工作溫度可高達+95攝氏度,對于工業(yè)級電子設(shè)備來說這樣的溫度承受力已經(jīng)足夠了.該恒溫有源石英晶振輸出邏輯采用LVCMOS(低壓模式),這種輸出方式有CMOS高驅(qū)動功率的性能,并且同等條件下相位噪聲比CMOS更小.
日本電波株式會社即是我們常說的NDK晶振;眾所周知,該公司在車載產(chǎn)品方面可以說是位居世界車載元件領(lǐng)域的首位的;但是從今年開始,該公司似乎開始大舉進軍5G行業(yè),從年初至今推出的新品和產(chǎn)品性能優(yōu)化的產(chǎn)品大部分都是可應(yīng)用于5G通信或是5G基站的;這不前幾日又推出了世界最小級5G基站恒溫振蕩器的開發(fā)技術(shù). 為了在5G和本地5G的普及下實現(xiàn)高速,大容量通信和超低延遲通信,系統(tǒng)通過安裝大量小型基站來覆蓋該區(qū)域.這些小型基站將安裝在室外鋼管,屋頂,墻壁和其他狹窄空間的頂部,并且安裝場所的環(huán)境將暴露在直射的陽光,風和雨中,使其比以前更加嚴格.
由于小型基站設(shè)備的內(nèi)部組件受高密度安裝和高溫高濕的外部環(huán)境變化所導(dǎo)致的內(nèi)部溫度升高的影響,因此,緊湊的高穩(wěn)定性晶體振蕩器在高溫下具有穩(wěn)定的工作狀態(tài),具有良好的溫度斜率特性且具有良好的相位噪聲特性.
為了滿足這些需求,我們通過開發(fā)專用的ASIC實現(xiàn)了小型化,該ASIC在單個芯片上包含所有振蕩器電路,溫度控制電路和OCXO的其他組件.
此外,通過利用從石英晶體生長到晶體振蕩器制造的集成制造優(yōu)勢,我們開發(fā)了使用高Q晶體石英的小型SC切割振蕩器,以實現(xiàn)高穩(wěn)定性和低噪聲5G系統(tǒng)所需.此外,與傳統(tǒng)的高精度TCXO相比,溫度斜率特性的值達到±0.1x10-9/°C,為1/200.另外,不引入濕氣和灰塵的氣密包裝的適應(yīng)性提高了可靠性.
這款OCXO有源晶振的參數(shù)規(guī)格如下表所示:
Dimensions | 7.0x5.0x3.3mm |
Nominal Frequency Range | 10MHzto50MHz |
Standard Frequency | 20M,30.72M,38.88M,48MHz |
Output | LVCMOS |
Supply Voltage[VCC] | DC+3.3V |
Power Consumption(whenstable) | Max.0.6W |
Operating Temperature Range | -40°Cto+95°C |
Frequency/Temperature Slope Characteristics | Typ.+/-0.1x10-9/°C |
Frequency/Temperature Characteristics | Max.+/-20x10-9 |
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