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NDK晶振,石英晶振,NX1612SB晶振

產品型號：77739801
晶振頻率：26.000~76.800MHZ
晶振尺寸：1.6*1.2*0.45mm 詳細資料參考PDF
產品應用： 貼片晶振采用了多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍...

　　日本電波工業株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評估”，它包括評估產品的壽命。在這里，產品的生命不僅僅是產品本身的制造階段，而是包括原料組成產品的零件/材料的開采階段，包括產品的制造階段，銷售階段，包括到產品交付給用戶使用的階段，包括產品使用由用戶和維修/維護參與它，和處置階段，通過用戶廢棄產品回收，回收或處置。在ISO14000系列環境標準中也建立了國際標準。
日本電波工業株式NDK晶振超低電壓驅動的CO2排放量（0.8V ~）型時鐘晶體振蕩器（nz2520sf）采用最先進的技術和傳統的產品開發（2700系列）是由環境LCA技術相比。二氧化碳排放量的計算量的部分制造，產品制造和我們的產品納入筆記本電腦的功耗，以及產品運輸的燃料消耗量。所采用的分析方法是“現場類型”，研究工廠和生產線單位的功耗，然后從產品的總金額，每產品的功耗。

NDK晶振規格	單位	NX1612SB晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	26 - 76.8 MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	−40 - +85 °C	裸存
工作溫度	T_use	−30 - +85 °C	標準溫度
激勵功率	DL	10μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^-6 (標準), (±10 × 10^-6 ～ ±12 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sqlianchuang.cn
頻率溫度特征	f_tem	±10 × 10^-6/-30°C ～ +85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

    晶振使用說明
    支架：一個箱體，內裝一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發金屬電極的晶體條和用于連接的端子。
    頻率：每秒輸出波形的周期數。頻率單位是每秒周期數，或赫茲，縮寫為Hz。
    基本模式：晶體的主要模式。
    Overtone模式：根據指定的振蕩模式分配給奇數的頻率。標準的第三種泛音模式，其次是第五，第七，第九等。超越第九種泛音是不切實際的。這些頻率并不完全是基頻的三倍，五倍，七倍或九倍。
    頻率容差：室溫下與標稱頻率的允許偏差。頻率容差以百分比表示，典型值為±0.005％或百萬分率（ppm），±50ppm。
等效串聯電阻：晶體在工作諧振電路中表現出的阻抗值。
    驅動電平：電路中晶體的功耗量。驅動電平以毫瓦或微瓦表示。過高的驅動電平會導致長期的頻率漂移或晶體破裂。
    老化：相對頻率在一段時間內發生變化。這種頻率變化率通常是指數性的。通常情況下，老化在頭30天內計算，并計算長期（一年或十年）。最高的老化率在手術的第一周內發生，之后緩慢下降。
    頻率穩定度：與指定溫度范圍內（即0至+ 70°C）25°C時的測量頻率相比，最大允許頻率偏差。
    并聯電容：并聯電容（CO）是晶體端子之間的電容。它隨封裝而變化，通常它在SMD中較小（典型值為4pF），在含鉛晶體中為6pF。
    雜散：通常在工作模式之上的不需要的共振，以dB最大值指定。或ESR的次數。頻率范圍必須指定。例如，在F0±200kHz的頻率窗口中，雜散響應應至少為6dB或2.5×R。
    振動模式：石英晶體的振動模式隨晶體切割而變化，例如AT切割和BT切割的厚度剪切，或音叉晶體的彎曲模式（+ 5oX）切割，或CT，DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割，它可以在寬廣的溫度變化范圍內提供對稱的頻移。
    工作溫度范圍：晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍。
    負載電容：負載電容（CL）是振蕩器對兩個晶體端子的總電容量。當晶體在并聯模式下使用時，需要指定負載電容。排放。

    自動安裝時的沖擊
    自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時，請重新檢查安裝條件。同時，在安裝前后，請確保晶體產品未撞擊機器或其他電路板等。
    每個封裝類型的注意事項
    （1）陶瓷包裝產品與SON產品
    在焊接陶瓷封裝產品和SON產品 (MC-146晶振,RTC-****NB,RX-****NB) 之后，彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時，務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
    陶瓷包裝產品
    在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產品時，在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂，請事先檢查焊接特性。
    （2）陶瓷封裝產品
    在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產品時，在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂，請事先檢查焊接特性。
    （3）柱面式產品
    產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂（開裂），也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當晶體產品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時，應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住，以免發生分裂。當該引腳需修復時，請勿拉伸，托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力，會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外，為避負機器共振造成引腳疲勞切斷，建議用粘著劑將產品固在定電路板上。
    (4)DIP 產品
    已變形的引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力，以免引腳變形。
    （5）SOJ 產品和SOP 產品
    請勿施加過大壓力，以免引腳變形。已變形的引腳焊接時會造成浮起。尤其是SOP產品需要更加小心處理。

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