應(yīng)用案例
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- 石英晶振 Quartz crystal
- 圓柱晶振 KHZ Crystal
- 聲表面諧振器|濾波器 SAW Resonator
- 陶瓷晶振 Ceramic Resonator
- 陶瓷濾波器 Ceramic Filte
- 陶瓷霧化片 Atomization piece
- NJR晶振 NJR CRYSTAL
- 日本大真空晶振 KDS crystal
- 愛普生石英晶振 EPSON Crystal
- 西鐵城晶體 CITIZEN Crystal
- 精工晶體 SEIKO Crystal
- 村田陶瓷諧振器 muRata Crystal
- 京瓷貼片晶振
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- 大河晶振 日本大河晶體
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- 鴻星貼片晶振 HOSONIC
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- Microchip晶振 Microchip CRYSTAL
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- NIC晶振 NIC CRYSTAL
- QVS晶振 QVS OSCILLATOR
- Bomar晶振 Bomar Crystal
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- AXTAL晶振 AXTAL crystal
- SUNNY晶振 SUNNY CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經(jīng)營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現(xiàn)共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
日本電波工業(yè)株式NDK晶振由于制造普通晶體振蕩器(PXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過程。通過使產(chǎn)品更加緊湊,可以增加每個工序引入的零件數(shù)量。設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量。因此,每個產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量,然后抑制二氧化碳排放。與這項改革,減少功耗設(shè)備也實施。為了快速響應(yīng)我們的客戶需求,我們整合了我們的基本技術(shù),設(shè)計技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù),成功地減少和減輕產(chǎn)品使用最先進的技術(shù)。
NDK晶振集團作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”。為取得社會的信任,為推動環(huán)境負荷最小化,集團還開展了各種各樣的活動。
NDK石英晶振在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學物質(zhì)進行管理”,實現(xiàn)與地球的和諧相處。
NDK晶振規(guī)格 | 單位 | NX2016SF晶振 | 石英晶振基本條件 |
標準頻率 | f_nom | 19.2 - 52 MHz | 標準頻率 |
儲存溫度 | T_stg | −40 - +85 °C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | −30 - +85 °C | 標準溫度 |
激勵功率 | DL | 10μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l |
±10 × 10-6 (標準), (±10 × 10-6 ~ ±12 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sqlianchuang.cn |
頻率溫度特征 | f_tem | ±10 × 10-6/-30°C ~ +85°C | 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 | CL | 7PF | 不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
Cstray可能從2p??F到6pF不等。
可拉性:在并聯(lián)諧振晶體中,頻率隨負載電容CL的變化而變化。可調(diào)性是并聯(lián)電容Co運動電容C1和晶體尺寸的函數(shù)。
絕緣電阻:晶體引線之間或引線與外殼(金屬外殼)之間的電阻。它在100V±15V的直流電壓下測試,絕緣電阻在500莫姆范圍內(nèi)。
串聯(lián)諧振:當諧振時阻抗最小時發(fā)生串聯(lián)諧振。其串聯(lián)諧振的等效電路是一個電阻。
品質(zhì)因數(shù):是運動電感,諧振頻率和ESR的質(zhì)量函數(shù)。典型的范圍是從十幾到幾百。
晶體等效電路
示出了石英晶體的等效電路以解釋控制晶體特性和性能的基本元素。它由運動電容C1,電感L1,串聯(lián)電阻R1??和分路電容C0組成。前三個參數(shù)被稱為石英晶體元件的“運動參數(shù)”。
陶瓷諧振器應(yīng)用說明
一般描述
為什么陶瓷諧振器?在精度方面,陶瓷諧振器位于石英晶體振蕩器和LC / RC振蕩器之間。它們相當小,無需調(diào)整,啟動時間更短,成本更低。
封裝:陶瓷諧振器帶有標準的單列直插式封裝(ZTA,ZTB和ZTT),或者帶有內(nèi)置電容器的3引腳(ZTTS,ZTTCV)。
性質(zhì):陶瓷諧振器的振蕩取決于與其壓電晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)的機械諧振。這些材料(通常是鈦酸鋇或鋯鈦酸鉛)具有較大的偶極子運動,這通過施加的電場引起晶體的變形或生長。
頻率范圍:可用頻率范圍從190 kHz到50 MHz不等。
頻率穩(wěn)定度:在溫度范圍內(nèi)(即-20oC至+ 80oC),與25o C的測量頻率相比,最大允許頻率偏差。典型的穩(wěn)定性為±0.3%(±3000ppm)。
頻率允差:室溫下允許的額定頻率偏差。頻率容差以百分比表示,典型值為±0.5%或百萬分率(ppm),±5000ppm。
諧振阻抗:晶體在工作諧振電路中的阻抗值。
老化:相對頻率在一段時間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下,10年內(nèi)的老化率為±0.5%。
負載電容:負載電容(CL)是通過兩個諧振器端子查看電路時振蕩器所表現(xiàn)的電容量。負載電容用一對C1和C2表示,默認值見表格。
等效電路:它的等效電路類似于石英晶體等效電路,即由并聯(lián)CO電容并聯(lián)的串聯(lián)L1,C1,R1電路組成。標準ZTAS-MG-4.00MHz的典型參數(shù)如下:L - 330uH,Cl - 5pF,C0 - 40pF和Q?900。
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
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